Американский стартап придумал HBM-память из далёкого будущего, но ею никто не заинтересовался
Молодая американская компания NEO Semiconductor представила ещё один вариант революционной стековой памяти X-DRAM собственной разработки. На этот раз производителям предложена память X-HBM, опередившая своё время на четверть века — а возможно, и больше. Чипы X-HBM обещают обеспечить в 16 раз более высокую пропускную способность или в 10 раз большую плотность записи по сравнению с самыми передовыми современными микросхемами памяти HBM.
Источник: 24GADGET.RU
Похожие новости
- Гиковские «часики»: уникальный гаджет с MIPS-процессором и Android на борту
- Часть 3: Создание пользовательского интерфейса на дисплее Guition с ESPHome и библиотекой LVGL
- Два робота пробежали стометровку на чемпионате России по легкой атлетике
- Разбор/чистка Nuphy HALO 75 v2
- Beta AppleOS 26: что-то жидкое стекло
- ChatGPT превратили в похитителя конфиденциальных данных
- Рабочее место айтишника в 2025 году: базовый минимум или роскошный максимум
- Как звучать и выглядеть нормально на онлайн-встречах (и зачем вообще париться)
- Tesla теряет популярность в Китае — крупнейший завод компании снова столкнулся с падением поставок
- Китайцы создали кремниевый мозг «Обезьяна Дарвина» и обещают его эволюцию до человеческого