Американский стартап придумал HBM-память из далёкого будущего, но ею никто не заинтересовался
Молодая американская компания NEO Semiconductor представила ещё один вариант революционной стековой памяти X-DRAM собственной разработки. На этот раз производителям предложена память X-HBM, опередившая своё время на четверть века — а возможно, и больше. Чипы X-HBM обещают обеспечить в 16 раз более высокую пропускную способность или в 10 раз большую плотность записи по сравнению с самыми передовыми современными микросхемами памяти HBM.
Источник: 24GADGET.RU
💬 Комментарии
В связи с новыми требованиями законодательства РФ (ФЗ-152, ФЗ «О рекламе») и ужесточением контроля со стороны РКН, мы отключили систему комментариев на сайте.
🔒 Важно Теперь мы не собираем и не храним ваши персональные данные — даже если очень захотим.
💡 Хотите обсудить материал?
Присоединяйтесь к нашему Telegram-каналу:
https://t.me/blogssmartzНажмите кнопку ниже — и вы сразу попадёте в чат с комментариями