Производством MRAM-памяти займется Hynix и Toshiba
Компании Toshiba и Hynix займутся разработкой перспективной технологией производства магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).
Память MRAM хранит информацию при помощи магнитных моментов. И позволяет совмещать достоинства динамической и флеш-памяти. При этом небольшим временем доступа к файлам минимально.Еще одно достоинство этой памяти так это ее энергонезависимость, то есть данные могут храниться без питания. Кроме того, в отличие от флеш-памяти, характеристики MRAM не ухудшаются за время эксплуатации.
Для того что бы избавиться от недостатков начальной технологии, компании сосредоточат усилия на технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми «классическая» технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи.
Благодаря своей универсальности память MRAM, как ожидается, найдёт применение в самых разнообразных устройствах — от смартфонов и персональных компьютеров до бытовой техники. Сроки начала массового производства MRAM-чипов компании Hynix и Toshiba не оговаривают.
Источник My Equipment
Источник:My Equipment сайт о гаджетах
💬 Комментарии
В связи с новыми требованиями законодательства РФ (ФЗ-152, ФЗ «О рекламе») и ужесточением контроля со стороны РКН, мы отключили систему комментариев на сайте.
🔒 Важно Теперь мы не собираем и не храним ваши персональные данные — даже если очень захотим.
💡 Хотите обсудить материал?
Присоединяйтесь к нашему Telegram-каналу:
https://t.me/blogssmartzНажмите кнопку ниже — и вы сразу попадёте в чат с комментариями
